Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD088N06N3GBTMA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
827-5081
Fabrikantnummer:
IPD088N06N3GBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ 3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

71 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Width

6.22mm

Length

6.73mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

N.v.t.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.