Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD088N06N3GBTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 18,775

(excl. BTW)

€ 22,725

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,751€ 18,78
125 - 475€ 0,579€ 14,48
500 - 1225€ 0,517€ 12,93
1250 +€ 0,406€ 10,15

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
827-5081
Fabrikantnummer:
IPD088N06N3GBTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

71 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Width

6.22mm

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N.v.t.

Gerelateerde Links