Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD30N03S2L10ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.195,00

(excl. BTW)

€ 1.445,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 - 2500€ 0,478€ 1.195,00
5000 - 10000€ 0,466€ 1.165,00
12500 +€ 0,454€ 1.135,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
857-4587
Fabrikantnummer:
IPD30N03S2L10ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

100 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

31 nC @ 10 V

Length

6.73mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Vrijgesteld

Gerelateerde Links