Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 7,95

(excl. BTW)

€ 9,625

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
  • Laatste verzending 75 stuk(s) vanaf 12 januari 2026
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,318€ 7,95
250 - 600€ 0,298€ 7,45
625 - 1225€ 0,27€ 6,75
1250 - 2475€ 0,254€ 6,35
2500 +€ 0,238€ 5,95

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
152-6358
Fabrikantnummer:
SI2302DDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Halogen-free

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg Tested

APPLICATIONS

Load Switching for Portable Devices

DC/DC Converter

Gerelateerde Links