Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
146-4437
Fabrikantnummer:
SI2302DDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Halogen-free

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg Tested

APPLICATIONS

Load Switching for Portable Devices

DC/DC Converter

Gerelateerde Links