Fabrikantnummer

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 3-Pin TO-220 FP IPA028N08N3GXKSA1

RS-stocknr.:: 165-8119
Fabrikantnummer:: IPA028N08N3GXKSA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 3-Pin TO-220 FP IPA028N08N3GXKSA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk

RS-stocknr.:: 165-8119
Fabrikantnummer:: IPA028N08N3GXKSA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	100 A
	Maximum Drain Source Voltage	80 V
	Package Type	TO-220 FP
	Series	OptiMOS™ 3
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	2.8 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
	Minimum Gate Threshold Voltage	2V
	Maximum Power Dissipation	42 W
	Transistor Configuration	Single
	Transistor Material	Si
	Number of Elements per Chip	1
	Maximum Operating Temperature	+175 °C
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 100 A
	Maximum Drain Source Voltage 80 V
	Package Type TO-220 FP
	Series OptiMOS™ 3
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 2.8 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
	Minimum Gate Threshold Voltage 2V
	Maximum Power Dissipation 42 W
	Transistor Configuration Single
	Transistor Material Si
	Number of Elements per Chip 1
	Maximum Operating Temperature +175 °C
	Minimum Operating Temperature -55 °C

Land van herkomst:: CN

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.