Fabrikantnummer

IXYS HiperFET, Polar3 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3

RS-stocknr.:: 168-4759
Fabrikantnummer:: IXFN80N60P3
Fabrikant:: IXYS

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 317,28

(excl. BTW)

€ 383,91

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

150 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per tube*
10 - 10	€ 31,728	€ 317,28
20 - 40	€ 30,458	€ 304,58
50 +	€ 29,507	€ 295,07

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 168-4759
Fabrikantnummer:: IXFN80N60P3
Fabrikant:: IXYS

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	66A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	SOT-227
	Series	HiperFET, Polar3
	Mount Type	Panel
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	190nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	960W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	9.6mm
	Standards/Approvals	No
	Length	38.23mm
	Width	25.07mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 66A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type SOT-227
	Series HiperFET, Polar3
	Mount Type Panel
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 960W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 9.6mm
	Standards/Approvals No
	Length 38.23mm
	Width 25.07mm
	Automotive Standard No

Land van herkomst:: US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.