IXYS Type N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN210N30P3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 356,32

(excl. BTW)

€ 431,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 240 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 35,632€ 356,32

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
177-5342
Fabrikantnummer:
IXFN210N30P3
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

192A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.5kW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

268nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links