IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 33,71

(excl. BTW)

€ 40,79

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 222 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 33,71
2 - 4€ 33,04
5 +€ 32,03

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
804-7603
Artikelnummer Distrelec:
302-53-380
Fabrikantnummer:
IXFN80N60P3
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links