IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 268,63

(excl. BTW)

€ 325,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 26,863€ 268,63

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
920-0745
Fabrikantnummer:
IXFN80N50P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.2mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links