Toshiba Type P-Channel MOSFET, 15 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ15P04M3
- RS-stocknr.:
- 171-2473
- Fabrikantnummer:
- TJ15P04M3
- Fabrikant:
- Toshiba
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 6,16
(excl. BTW)
€ 7,45
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 380 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 40 stuk(s) vanaf 07 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,616 | € 6,16 |
| 50 - 90 | € 0,528 | € 5,28 |
| 100 - 990 | € 0,462 | € 4,62 |
| 1000 + | € 0,401 | € 4,01 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 171-2473
- Fabrikantnummer:
- TJ15P04M3
- Fabrikant:
- Toshiba
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Toshiba | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 48mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 7.18 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Toshiba | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 48mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 7.18 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Vrijgesteld
- Land van herkomst:
- CN
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)
Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.1 mA)
Applications:
Motor Drivers
Power Management Switches
Gerelateerde Links
- Toshiba P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TJ15P04M3
- Toshiba P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TJ60S04M3L
- ROHM P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK RD3G01BATTL1
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET 40 VLQ(O
- Toshiba P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TK65S04N1L
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TK100S04N1L
- ROHM RD3G04BBJHRB P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK RD3G04BBJHRBTL
