Toshiba Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ60S04M3L

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,92

(excl. BTW)

€ 8,375

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 55 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 1.385 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,384€ 6,92

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2485
Fabrikantnummer:
TJ60S04M3L
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Standards/Approvals

No

Width

7 mm

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N.v.t.

Land van herkomst:
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Gerelateerde Links