Toshiba Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.694,00

(excl. BTW)

€ 2.050,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,847€ 1.694,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
171-2414
Fabrikantnummer:
TJ60S04M3L
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.5mm

Width

7 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Gerelateerde Links