Toshiba Type P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TJ8S06M3L

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,70

(excl. BTW)

€ 11,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Beperkte voorraad
  • Plus verzending 140 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,97€ 9,70
50 - 90€ 0,88€ 8,80
100 - 990€ 0,677€ 6,77
1000 +€ 0,418€ 4,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2492
Fabrikantnummer:
TJ8S06M3L
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Power Dissipation Pd

27W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

7 mm

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N.v.t.

Land van herkomst:
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60V)

Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Gerelateerde Links