Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK65S04N1L

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 13,00

(excl. BTW)

€ 15,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.830 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,30€ 13,00
50 - 90€ 1,115€ 11,15
100 - 990€ 0,977€ 9,77
1000 +€ 0,866€ 8,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2494
Fabrikantnummer:
TK65S04N1L
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

7 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

Gerelateerde Links