Toshiba Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.822,00

(excl. BTW)

€ 2.204,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 - 2000€ 0,911€ 1.822,00
4000 - 8000€ 0,841€ 1.682,00
10000 +€ 0,78€ 1.560,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
171-2426
Fabrikantnummer:
TK60S06K3L
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Width

7 mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
JP
Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Gerelateerde Links