Toshiba Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK8S06K3L
- RS-stocknr.:
- 171-2501
- Fabrikantnummer:
- TK8S06K3L
- Fabrikant:
- Toshiba
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 9,23
(excl. BTW)
€ 11,17
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 10 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 1.360 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,923 | € 9,23 |
| 50 - 90 | € 0,791 | € 7,91 |
| 100 - 990 | € 0,691 | € 6,91 |
| 1000 + | € 0,614 | € 6,14 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 171-2501
- Fabrikantnummer:
- TK8S06K3L
- Fabrikant:
- Toshiba
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 7 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Width 7 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Vrijgesteld
- Land van herkomst:
- JP
Automotive
Motor Drivers
DC-DC Converters
Switching Voltage Regulators
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)
Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA
Gerelateerde Links
- Toshiba N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK TK8S06K3L
- Toshiba N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK TK60S06K3L
- Toshiba P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK TJ8S06M3L
- Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET 600 VRVQ(S
- Toshiba P-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TJ60S04M3L
- ROHM N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin DPAK RD3L080SNTL1
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TK65S04N1L
- Toshiba N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin DPAK TK100S04N1L
