Toshiba Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK60S06K3L

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,79

(excl. BTW)

€ 7,005

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 15 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 3.735 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,158€ 5,79

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
171-2481
Fabrikantnummer:
TK60S06K3L
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Length

6.5mm

Width

7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
JP
Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Gerelateerde Links