Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
180-7326
Fabrikantnummer:
SI8483DB-T2-E1
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

MICRO FOOT

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

590μm

Width

1mm

Length

1.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.