Vishay SiSHA12ADN Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSHA12ADN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 15,175

(excl. BTW)

€ 18,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,607€ 15,18
125 - 225€ 0,577€ 14,43
250 - 600€ 0,516€ 12,90
625 - 1225€ 0,37€ 9,25
1250 +€ 0,291€ 7,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4936
Fabrikantnummer:
SiSHA12ADN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA12ADN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

28W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Height

0.93mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links