Vishay SiSHA14DN Type N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSHA14DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 14,575

(excl. BTW)

€ 17,625

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 5.825 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 225€ 0,583€ 14,58
250 - 600€ 0,554€ 13,85
625 - 1225€ 0,496€ 12,40
1250 - 2475€ 0,356€ 8,90
2500 +€ 0,28€ 7,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4957
Fabrikantnummer:
SiSHA14DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSHA14DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

26.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.93mm

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links