Vishay SiSS92DN Type N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,60

(excl. BTW)

€ 11,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,96€ 9,60
100 - 240€ 0,943€ 9,43
250 - 490€ 0,816€ 8,16
500 - 990€ 0,624€ 6,24
1000 +€ 0,509€ 5,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4960
Fabrikantnummer:
SiSS92DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

SiSS92DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-32-538

N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® with ThunderFET technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss

Leadership RDS(on) and RDS-Coss FOM

Gerelateerde Links