Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 11,66

(excl. BTW)

€ 14,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,83€ 11,66
20 - 48€ 5,245€ 10,49
50 - 98€ 4,97€ 9,94
100 - 198€ 4,68€ 9,36
200 +€ 4,38€ 8,76

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5016
Fabrikantnummer:
SIHW21N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHW21N80AE

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

235mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.26mm

Standards/Approvals

No

Height

21.46mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.