Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,37

(excl. BTW)

€ 12,548

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,185€ 10,37
20 - 48€ 4,66€ 9,32
50 - 98€ 4,415€ 8,83
100 - 198€ 4,16€ 8,32
200 +€ 3,895€ 7,79

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5016
Fabrikantnummer:
SIHW21N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHW21N80AE

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

235mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.46mm

Width

5.31 mm

Standards/Approvals

No

Length

16.26mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links