Fabrikantnummer

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AE-GE3

RS-stocknr.:: 188-4989
Artikelnummer Distrelec:: 304-38-848
Fabrikantnummer:: SIHG21N80AE-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AE-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,13

(excl. BTW)

€ 12,258

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

44 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
2 - 18	€ 5,065	€ 10,13
20 - 48	€ 4,56	€ 9,12
50 - 98	€ 4,315	€ 8,63
100 - 198	€ 4,055	€ 8,11
200 +	€ 3,805	€ 7,61

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 188-4989
Artikelnummer Distrelec:: 304-38-848
Fabrikantnummer:: SIHG21N80AE-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247
	Series	SiHG21N80AE
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	235mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	32W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Height	20.82mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247
	Series SiHG21N80AE
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 32W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Height 20.82mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHG21N80AE-GE3

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.