Vishay SIHB21N80AE N channel-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-T5-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 3,43

(excl. BTW)

€ 4,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 3,43
10 - 49€ 2,12
50 - 99€ 1,66
100 +€ 1,37

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-129
Fabrikantnummer:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

SIHB21N80AE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.205Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.355mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

0.42mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay Power MOSFET offers high efficiency and robust performance in power supplies, suitable for demanding applications in server and telecom environments. It is designed to optimise energy management and minimise losses.

Low effective capacitance contributing to Faster response times

Single configuration streamlines design and integration

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.