Vishay E Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,23

(excl. BTW)

€ 6,33

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.770 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,046€ 5,23

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4977
Fabrikantnummer:
SIHB21N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

205mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.06mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 17.4 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links