Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 115,20

(excl. BTW)

€ 139,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 30€ 3,84€ 115,20
60 - 120€ 3,763€ 112,89
150 +€ 3,571€ 107,13

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
188-4880
Fabrikantnummer:
SIHW21N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-247

Series

SiHW21N80AE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

235mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

32W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.46mm

Standards/Approvals

No

Length

16.26mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.