Vishay SiSS26LDN Type N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS26LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,41

(excl. BTW)

€ 12,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 1,041€ 10,41

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5033
Fabrikantnummer:
SISS26LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS26LDN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Gerelateerde Links