Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3

Subtotaal (1 rol van 20 eenheden)*

€ 12,68

(excl. BTW)

€ 15,34

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 2.880 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
20 +€ 0,634€ 12,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1304
Fabrikantnummer:
SIS415DNT-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET Gen III

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.8mm

Width

3.4 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links