Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 30,55

(excl. BTW)

€ 36,95

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 6.650 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,611€ 30,55
100 - 200€ 0,464€ 23,20
250 - 450€ 0,427€ 21,35
500 - 1200€ 0,366€ 18,30
1250 +€ 0,318€ 15,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6797
Fabrikantnummer:
Si4425FDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

18.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

4.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

100% Rg tested

Gerelateerde Links