Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.425,00

(excl. BTW)

€ 1.725,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,475€ 1.425,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6841
Fabrikantnummer:
SIJ150DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

3.4mm

Standards/Approvals

No

Width

0.98 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency

Flexible leads provide resilience to mechanical stress

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

Gerelateerde Links