Vishay SiHB105N60EF Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB105N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,11

(excl. BTW)

€ 14,655

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 2,422€ 12,11
25 - 45€ 1,96€ 9,80
50 - 120€ 1,908€ 9,54
125 - 245€ 1,862€ 9,31
250 +€ 1,814€ 9,07

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7205
Fabrikantnummer:
SIHB105N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHB105N60EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

102mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Height

15.88mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

Gerelateerde Links