Vishay SiHG105N60EF Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG105N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,94

(excl. BTW)

€ 19,285

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 470 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,188€ 15,94
25 - 45€ 2,71€ 13,55
50 - 120€ 2,552€ 12,76
125 - 245€ 2,396€ 11,98
250 +€ 2,232€ 11,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7209
Fabrikantnummer:
SIHG105N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHG105N60EF

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

102mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

20.7mm

Length

15.87mm

Width

5.21 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

Gerelateerde Links