Vishay SiHG052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG052N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 35,91

(excl. BTW)

€ 43,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 7,182€ 35,91
10 - 20€ 6,464€ 32,32
25 - 45€ 6,106€ 30,53
50 - 120€ 5,746€ 28,73
125 +€ 5,314€ 26,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7207
Fabrikantnummer:
SIHG052N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHG052N60EF

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

101nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.31 mm

Height

20.7mm

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

Gerelateerde Links