Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,36

(excl. BTW)

€ 22,215

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 310 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,672€ 18,36
25 - 45€ 3,304€ 16,52
50 - 120€ 2,902€ 14,51
125 - 245€ 2,68€ 13,40
250 +€ 2,314€ 11,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4988
Fabrikantnummer:
SiHG186N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

168mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.58mm

Width

15.29 mm

Length

33.91mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has TO-247AC package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links