Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 70 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG70N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 12,85

(excl. BTW)

€ 15,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 12,85
10 - 24€ 12,23
25 - 49€ 11,56
50 - 99€ 10,30
100 +€ 9,78

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
903-4475
Fabrikantnummer:
SiHG70N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

38mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

520W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

253nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.31 mm

Height

20.82mm

Standards/Approvals

No

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor


Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links