Vishay SiJ128LDP Type N-Channel MOSFET, 25.5 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ128LDP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 14,96

(excl. BTW)

€ 18,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,748€ 14,96
100 - 180€ 0,661€ 13,22
200 - 480€ 0,643€ 12,86
500 - 980€ 0,627€ 12,54
1000 +€ 0,612€ 12,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7217
Fabrikantnummer:
SiJ128LDP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiJ128LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.14 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.25mm

Height

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links