Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 10,692

(excl. BTW)

€ 12,936

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.980 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,673€ 10,69
60 - 96€ 2,508€ 10,03
100 - 236€ 2,235€ 8,94
240 - 996€ 2,193€ 8,77
1000 +€ 2,15€ 8,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9895
Fabrikantnummer:
SI4190BDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SI

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.093Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

95nC

Maximum Power Dissipation Pd

8.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links