Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 2.559,00

(excl. BTW)

€ 3.096,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 12 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 2,559€ 2.559,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-7226
Fabrikantnummer:
SIHB17N80E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHB17N80E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Height

15.88mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links