Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80E-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,13

(excl. BTW)

€ 19,515

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 12 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,226€ 16,13
25 - 45€ 2,904€ 14,52
50 - 120€ 2,58€ 12,90
125 - 245€ 2,482€ 12,41
250 +€ 2,42€ 12,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7227
Fabrikantnummer:
SIHB17N80E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

SiHB17N80E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.83 mm

Height

15.88mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links