Vishay SiDR392DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR392DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 34,66

(excl. BTW)

€ 41,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 16 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 1,733€ 34,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7234
Fabrikantnummer:
SIDR392DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

SiDR392DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.62mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

188nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET has a Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links