Vishay SiHB125N60EF Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB125N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 15,57

(excl. BTW)

€ 18,84

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,114€ 15,57
25 - 45€ 2,304€ 11,52
50 - 120€ 1,932€ 9,66
125 - 245€ 1,856€ 9,28
250 +€ 1,81€ 9,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7246
Fabrikantnummer:
SIHB125N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHB125N60EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.06mm

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Gerelateerde Links