Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 57,20

(excl. BTW)

€ 69,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 150 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 +€ 1,144€ 57,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
210-4973
Fabrikantnummer:
SiHB186N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

168mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.06mm

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has D2PAK (TO-263) package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links