Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR180ADP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,38

(excl. BTW)

€ 8,93

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.125 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,476€ 7,38
50 - 120€ 1,33€ 6,65
125 - 245€ 1,064€ 5,32
250 - 495€ 0,902€ 4,51
500 +€ 0,852€ 4,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5001
Fabrikantnummer:
SiR180ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR180ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links