Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,24

(excl. BTW)

€ 7,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.990 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,248€ 6,24
50 - 120€ 1,124€ 5,62
125 - 245€ 1,064€ 5,32
250 - 495€ 0,998€ 4,99
500 +€ 0,924€ 4,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4967
Fabrikantnummer:
SIHB11N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

391mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.06mm

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links