Fabrikantnummer

Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS128LDN-T1-GE3

RS-stocknr.:: 188-5153
Fabrikantnummer:: SiS128LDN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS128LDN-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,36

(excl. BTW)

€ 10,12

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 06 oktober 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 0,836	€ 8,36
100 - 240	€ 0,796	€ 7,96
250 - 490	€ 0,712	€ 7,12
500 - 990	€ 0,511	€ 5,11
1000 +	€ 0,403	€ 4,03

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 188-5153
Fabrikantnummer:: SiS128LDN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SiS128LDN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Height	1.07mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SiS128LDN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Height 1.07mm
	Automotive Standard No

Datasheet SiS128LDN-T1-GE3

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.