Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS128LDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,61

(excl. BTW)

€ 9,21

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,761€ 7,61
100 - 240€ 0,724€ 7,24
250 - 490€ 0,648€ 6,48
500 - 990€ 0,464€ 4,64
1000 +€ 0,366€ 3,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-5153
Fabrikantnummer:
SiS128LDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiS128LDN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

20.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Width

3.15 mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Gerelateerde Links