Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N06S2L13ATMA4

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,40

(excl. BTW)

€ 9,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 9.880 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,74€ 7,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4374
Fabrikantnummer:
IPD30N06S2L13ATMA4
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Width

6.42 mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

It is lead-free

Gerelateerde Links