Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.550,00

(excl. BTW)

€ 1.875,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 10.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,62€ 1.550,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4375
Fabrikantnummer:
IPD50N06S2L13ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Gerelateerde Links