Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S2L13ATMA2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,29

(excl. BTW)

€ 10,03

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 12.390 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,829€ 8,29

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4377
Fabrikantnummer:
IPD50N06S2L13ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.42 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET provides high current capability, and Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. It is 100% Avalanche tested.

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Gerelateerde Links