Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.220,00

(excl. BTW)

€ 2.700,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,74€ 2.220,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4456
Fabrikantnummer:
IRFR3710ZTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

Its design is extremely efficient and reliable

Gerelateerde Links