Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin TO-252 IRFR3710ZTRLPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 15 eenheden)*

€ 19,785

(excl. BTW)

€ 23,94

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.220 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
15 - 15€ 1,319€ 19,79
30 - 60€ 1,253€ 18,80
75 - 135€ 1,20€ 18,00
150 - 360€ 1,147€ 17,21
375 +€ 1,068€ 16,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4457
Fabrikantnummer:
IRFR3710ZTRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

100nC

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .

Its design is extremely efficient and reliable

Gerelateerde Links